DDR5 DIMM - Micron представила тестовые образцы
Micron на этой неделе первой из поставщиков памяти начала выпуск образцов модулей DDR5. Они базируются на технологии 1z (для 1x детализация равна 17 нм, для 1у она меньше, а для 1z — ещё меньше, хотя в точности неизвестно насколько) и должны обеспечить высокоскоростной доступ многоядерных процессоров к оперативной памяти, помогая серверам справляться с более интенсивной вычислительной нагрузкой.

Micron утверждает, что DDR5 превосходит по производительности DDR4 более чем на 85 процентов. Ожидается, что в будущем она станет стандартной технологией оперативной памяти для большинства компьютерных устройств.
Том Эби (Tom Eby), старший вице-президент компьютерного и сетевого подразделения Micron заявил: «Начало поставок компанией Micron образцов DDR5 RDIMM представляет собой этапное достижение, продвигающее отрасль на шаг ближе к раскрытию потенциала датацентричных приложений следующего поколения».

Объединенный технический совет по электронным устройствам ассоциации полупроводниковых технологий (JEDEC) выработал спецификации DDR5 (Double Data Rate 5) с целью удвоить пропускную способность и ёмкость DDR4.

Скорость передачи данных у DDR4 варьируется от 1600 до 3200 мегатранзакций в секунду (MT/sec). DDR5 увеличивает её до 3200-6400 MT/sec. На 3200 MT/sec, DDR4 имеет эффективную пропускную способность 134,3 ГБ/с, DDR5 3200 обеспечит 182,5 ГБ/с, что больше в 1,36х, а у DDR5 4800 прирост скорости составит заявленные Micron > 1,85х.

SK Hynix планирует приступить к массовому выпуску собственной памяти DRAM с детализацией 1z в 2020 г., однако нет никаких гарантий, что величина 1z в нанометрах у Hynix и Micron одна и та же.
Источник: ko.com.ua
Источник: ko.com.ua
Вы должны войти

loading