Micron на этой неделе первой из поставщиков памяти начала выпуск образцов модулей
DDR5. Они базируются на технологии 1z (для 1x детализация равна 17 нм, для 1у она меньше, а для 1z — ещё меньше, хотя в точности неизвестно насколько) и должны обеспечить высокоскоростной доступ многоядерных процессоров к оперативной памяти, помогая серверам справляться с более интенсивной вычислительной нагрузкой.
Micron утверждает, что
DDR5 превосходит по производительности DDR4 более чем на 85 процентов. Ожидается, что в будущем она станет стандартной технологией оперативной памяти для большинства компьютерных устройств.
Том Эби (Tom Eby), старший вице-президент компьютерного и сетевого подразделения Micron заявил: «Начало поставок компанией Micron образцов DDR5 RDIMM представляет собой этапное достижение, продвигающее отрасль на шаг ближе к раскрытию потенциала датацентричных приложений следующего поколения».
Объединенный технический совет по электронным устройствам ассоциации полупроводниковых технологий (JEDEC) выработал спецификации DDR5 (Double Data Rate 5) с целью удвоить пропускную способность и ёмкость DDR4.
Скорость передачи данных у DDR4 варьируется от 1600 до 3200 мегатранзакций в секунду (MT/sec). DDR5 увеличивает её до 3200-6400 MT/sec. На 3200 MT/sec, DDR4 имеет эффективную пропускную способность 134,3 ГБ/с, DDR5 3200 обеспечит 182,5 ГБ/с, что больше в 1,36х, а у DDR5 4800 прирост скорости составит заявленные Micron > 1,85х.
SK Hynix планирует приступить к массовому выпуску собственной памяти DRAM с детализацией 1z в 2020 г., однако нет никаких гарантий, что величина 1z в нанометрах у Hynix и Micron одна и та же.
Ви маєте увійти під своїм обліковим записом